182.2-16BB

N型TOPCon高效电池片

182.2-16BB

182-16BB-N型TOPCon单晶双面电池

16主栅,正12段,160副栅,主栅宽度0.030±0.02mm

16主栅,背12段,200副栅,主栅宽度0.030±0.02mm

130±20μm

182mmx182mm±0.5mm,φ 247mm±0.5mm

+0.045%/K

-0.25%/K

-0.30%/K

文件下载
图片名称

高转换效率,正面效率≥26.5%


双面率≥80%


图片名称

光致衰减为“0”


图片名称

优越的抗 PID 性能


图片名称

功率温度系数低至-0.30%/K


图片名称

封损更低,更适合高效组件


产品外观

正面 背面

产品规格

基体材料 N-型单晶硅片
尺寸 182.2mm×182.2mm±0.5mm
对角线 Φ 247mm±0.5mm
厚度 130±20μm
正面 16*0.030±0.02mm主栅线(银),12分段,160根副栅线
背面 16*0.030±0.02mm主栅线(银),12分段,200根副栅线

产品特性

高转换效率,正面效率≥26.5%

双面率≥80%,光致衰减为“0”

优越的抗PID性能

功率温度系数低至-0.30%/K

200W/m²弱光下相对转换效率≥97%

封损更低,更适合高效组件

光谱响应 IV曲线
可焊性
最小剥离强度 ≥0.5N/mm
结果可能会因焊条、焊接方式及条件不同

温度系数

电流温度系数 +0.045%/K
电压温度系数 -0.25%/K
功率温度系数 -0.30%/K

正面电性能参数

效率/Eff 最大输出功率/Pmpp 最大输出电压/Umpp 最大输出电流/Impp 开路电压/Voc 短路电流/Isc
% W V A V A
25.3 8.35 0.615 13.583 0.716 14.148
25.2 8.32 0.614 13.551 0.715 14.113
25.1 8.29 0.613 13.520 0.714 14.078
25.0 8.25 0.612 13.488 0.713 14.045
24.9 8.22 0.611 13.456 0.712 14.015
24.8 8.19 0.611 13.402 0.712 13.965
24.7 8.16 0.610 13.370 0.711 13.930
24.6 8.12 0.609 13.337 0.710 13.895
24.5 8.09 0.608 13.305 0.709 13.860
24.4 8.06 0.607 13.272 0.708 13.825
24.3 8.02 0.607 13.218 0.708 13.790
24.2 7.99 0.606 13.185 0.707 13.755
24.1 7.96 0.605 13.153 0.706 13.715
24.0 7.92 0.604 13.120 0.705 13.675
23.9 7.89 0.603 13.087 0.704 13.640
标准测试条件:1000W/m²,AM1.5G,25℃
以上技术参数受限于技术变更及测试,仕净光能保留最终解释权。

背面电性能参数

效率/Eff 最大输出功率/Pmpp 最大输出电压/Vmpp 最大输出电流/Impp 开路电压/Voc 短路电流/Isc
% W V A V A
>20.5% 6.70 0.586 11.43 0.692 12.734
20.3-20.5% 6.67 0.585 11.41 0.691 12.690
20.1%-20.3% 6.65 0.584 11.37 0.690 12.645
<20.1% 6.60 0.582 11.34 0.689 12.625
标准测试条件:1000W/m²,AM1.5,25℃
以上技术参数受限于技术变更及测试,仕净光能保留最终解释权。

相关产品

182.2-16BB


正面效率≥26.5%,双面率≥80% 光致衰减为“0” 优越的抗 PID 性能 功率温度系数低至-0.30%/K 封损更低,更适合高效组件

182.2×183.75-10BB


正面效率≥26.5%,双面率≥80% 光致衰减为“0” 优越的抗 PID 性能 功率温度系数低至-0.30%/K 封损更低,更适合高效组件

182.2×183.75-16BB


正面效率≥26.5%,双面率≥80% 光致衰减为“0” 优越的抗 PID 性能 功率温度系数低至-0.30%/K 封损更低,更适合高效组件

182.2×191.6-16BB


正面效率≥26.5%,双面率≥80% 光致衰减为“0” 优越的抗 PID 性能 功率温度系数低至-0.30%/K 封损更低,更适合高效组件

182.2×199-16BB


正面效率≥26.5%,双面率≥80% 光致衰减为“0” 优越的抗 PID 性能 功率温度系数低至-0.30%/K 封损更低,更适合高效组件

210-18BB


高转换效率,正面效率≥26.5% 双面率≥80% 光致衰减为“0” 优越的抗 PID 性能 功率温度系数低至-0.30%/K 200W/m² 弱光下相对转换效率≥97% 封损更低,更适合高效组件