N型TOPCon高效电池片
210-18BB
210-18BB-N型TOPCon单晶双面电池
18主栅，正14段，168副栅，主栅宽度0.030±0.02mm
18主栅，背14段，174副栅，主栅宽度0.030±0.02mm
130±20μm
210mmx210mm±0.5mm，φ 295mm±0.5mm
+0.045%/K
-0.25%/K
-0.30%/K
高转换效率，正面效率≥26.5%
双面率≥80%
光致衰减为“0”
优越的抗 PID 性能
功率温度系数低至-0.30%/K
封损更低，更适合高效组件
产品外观
| 正面 | 背面 |
 |
 |
产品规格
| 基体材料 | N-型单晶硅片 |
| 尺寸 | 210mm×210mm±0.3mm |
| 对角线 | Φ 295mm±0.5mm |
| 厚度 | 130μm±20μm |
| 正面 | 18*0.030±0.02mm主栅线（银），14分段，168根副栅线 |
| 背面 | 18*0.030±0.02mm主栅线（银），14分段，174根副栅线 |
产品特性
高转换效率，正面效率≥26.0%
双面率≥80%，光致衰减为“0”
优越的抗 PID 性能
功率温度系数低至-0.30%/K
200W/m² 弱光下相对转换效率≥97%
封损更低，更适合高效组件
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光谱响应 |
IV曲线 |
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| 最小剥离强度 | ≥0.5N/mm | |
| 结果可能会因焊条、焊接方式及条件不同 | ||
温度系数
| 电流温度系数 | +0.045%/K |
| 电压温度系数 | -0.25%/K |
| 功率温度系数 | -0.30%/K |
电性能参数
| 效率/Eff | 最大输出功率/Pmpp | 最大输出电压/Vmpp | 最大输出电流/Impp | 开路电压/Voc | 短路电流/Isc |
| % | W | V | A | V | A |
| 24.40 | 10.76 | 0.624 | 17.278 | 0.716 | 18.168 |
| 24.30 | 10.72 | 0.623 | 17.200 | 0.715 | 18.148 |
| 24.20 | 10.67 | 0.622 | 17.156 | 0.714 | 18.120 |
| 24.10 | 10.63 | 0.621 | 17.113 | 0.713 | 18.097 |
| 24.00 | 10.58 | 0.620 | 17.069 | 0.712 | 18.073 |
| 23.90 | 10.54 | 0.619 | 17.026 | 0.711 | 18.049 |
| 23.80 | 10.49 | 0.618 | 16.982 | 0.710 | 18.025 |
| 23.70 | 10.45 | 0.617 | 16.938 | 0.709 | 18.001 |
| 23.60 | 10.41 | 0.616 | 16.894 | 0.708 | 17.997 |
| 23.50 | 10.36 | 0.615 | 16.850 | 0.707 | 17.953 |
| 23.40 | 10.32 | 0.614 | 16.805 | 0.706 | 17.929 |
| 23.30 | 10.27 | 0.613 | 16.761 | 0.705 | 17.905 |
| 23.20 | 10.23 | 0.612 | 16.716 | 0.704 | 17.881 |
| 23.10 | 10.19 | 0.611 | 16.671 | 0.703 | 17.857 |
| 23.00 | 10.14 | 0.610 | 16.626 | 0.702 | 17.833 |
| 标准测试条件：1000W/m²，AM1.5G，25℃ 以上技术参数受限于技术变更及测试，仕净光能科技保留最终解释权。 |
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封损更低，更适合高效组件
产业基地：
宁国基地：
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传真：0563-4170777
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